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上次讲述了关于NOR Flash的存储原理，现在讲述一下关于的Nand Flash存储原理，虽然这两个相似，就像USB2.0U盘与USB3.0U盘的差别与相似一样，不过使用过U盘定制产品的客户应该是明白这种差别的。
Nand Flash存储原理与NOR Flash稍有不同，写入数据时，它不是利用热电子效应，而是利用了量子的隧道效应。在控制栅极加上较高的写入电压，源极和漏极接地，使电子穿过势垒到达浮置栅极，并聚集在浮置栅极上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过是把电压反过来，从而消除浮置栅极上的电子，达到消除信息的结果。因为各种电流磁性痕迹，不管是硬盘还是U盘都能还原原来的信息，一些维修厂或者U盘厂家都能进行还原。
利用隧道效应，编程速度比较慢，数据保存效果差，但是很省电。（但是相信速度重要性还是在省电之上的，不然U盘厂家也不会一直想办法提升速度）
一组浮栅场效应管为一个基本的存储单元(通常为8位、16位)。组浮栅场效应管串行连接在一起，一组场效应管只有一根位线，属于串行方式，随机访问速度比较慢。但是存储密度很高。
特点:读写操作是以页为单位的，擦除是以块为单位的，因此编程和擦除的速度都非常快:数据线和地址线公用，采用串行方式，随机速度慢，不能按字节随机编程。体积小，价格低。芯片内存失效快，需婴查错和校验功能。
现在的存储品失效的时间也是很多人，看重的一个问题，时间越长比如U盘它的使用价值也就越高，信息安全性也就越高，以免出现一年的存储时间，使用者忘记存储时间，然后信息消失了，信息重要的话，问题就大了，所以各大U盘厂家也一直在提升与保证存储时间，而大家看重的这些点，也是我们一直在升级、改进、更新的地方。
