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我们丛王U盘工厂继续为您概括上一次说道的Flash数据存储原理，这一部分主要是针对NOR Flash而进行的，还有关于Nand Flash的内容，可以在下一次为您说道。
对NOR Flash而言，在通常情况下，其浮栅不带电荷，则该浮栅场效应管处于不导通状态。浮栅场效应管的漏极电平为高，则表示数据。
写入数据时，浮栅场效应管的漏极和控制栅极都会加上较高的写入电压，源极则接地。这样大量的电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子，形成热电子效应，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮置栅极之间的二氧化硅层，这是由于控制栅极加有高电压，在电场的作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮置栅极，并在浮置栅极形成电子团。即使在掉电的情况下，浮置柵极上的电子团，仍然会长期保留，所以信息能够长期保存(通常来说，这个时间可达10年，现在在对于存储品这一块的问题上，对于信息保持年限的要求一直最求更好，像我们丛王U盘工厂是能做到在U盘定制类产品上，保证能存储十年的，保证了您使用的安全性)。由于浮置栅极为负，所以控制栅极为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据被写入。
擦除时，源极加上较高的编程电压，控制栅极接地，漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理，浮置栅极上的电子将穿过势垒到达源极，浮置栅极上没有电子后，就意味着信息被删除了。
由于热电子的速度快，所以写入时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。每个浮栅场效应管为一个独立的存储单元。组浮栅场效应管的漏极连接在一起组成位线，场效应管的控制栅极连接在一起组成选择线， 可以访问每一个存储单元，也就是说可以以字节或字为单位进行寻址，属于并行方式。因此可以实现快速的随机访问，但是这种方式使得存储密度减低，相同容量时，耗费的硅片面积比较大，因而NOR Flash芯片的价格比较高。
不管是那种存储品，都是容量越大，速度越快价格越高。像USB2.0U盘就价格不如USB3.0U盘，相信正规U盘工厂都是如此，在更好的用户体验上，以更好的产品以得到用户的认同，在U盘定制产品上为客户得到更大的提升。
